マイクロエレクトロニクス装置シリコン用サムメット法

SUMMET METHOD FOR マイクロ電子デバイス中のシリコン

切断 マイクロ電子装置への使用が推奨されるブレード付き精密切断機
埋込 キャスタブル, 概してエポシン 2 を使用
表面 Abrasive / Size Load - lbs [N] / Specimen Base Speed [rpm] Relative Rotation Time [min:sec]
カルビメット 600 [P1200] グリット SiC 水冷却 3 [13] 100 Rotation Image 平面まで
ベルデュテックス 9 µm MetaDi シュープリーム・ダイアモンド 5 [22] 100 Rotation Image 3:00
ベルデュテックス 3 µm MetaDi シュープリーム・ダイアモンド 5 [22] 100 Rotation Image 3:00
ベルデュテックス 1 µm MetaDi シュープリーム・ダイアモンド 5 [22] 100 Rotation Image 3:00
ケモメット 0.06 µm マスターメット・コロイドシリカ 2 [9] 100 Rotation Image 2:00


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